高电源抑制比与低噪声带隙的基准源研究

作者：朱涛; 魏荣臣^*; 黄海涛^*; 张伟

来源：集成电路应用, 2023, 40(01): 29-33.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.01.010

• 带隙基准源
• 电源抑制比
• 斩波
• 反馈
• 噪声

针对传统带隙基准源受噪声、失调电压、温度系数影响大和电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR)低等问题,阐述一种具有高PSRR、低噪声的带隙基准电压源。通过采用在运放中加入斩波调制电路,利用其调制特性,滤除具有高频成分的噪声和失调电压,降低了电路中产生的噪声,采用PMOS共源共栅负载的NMOS共源共栅负反馈放大电路提高了电路的PSRR。电路使用HLMC28nm CMOS工艺实现,Spectre仿真结果表明,在3V电压下,基准输出电压为1.22V,低频时PSRR为-150db;在1 kHz频率下的输出噪声为165.6nV/Hz1/2。

• 单位
  珠海市杰理科技股份有限公司; 广东工业大学