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摘要
拉曼光谱作为一种无破坏性、快速且敏锐的测试技术已经成为表征石墨烯样品和研究其缺陷的最重要的实验手段之一.本论文用离子注入在单层和双层石墨烯中产生缺陷,并利用拉曼光谱研究了存在缺陷时单层和双层石墨烯的一阶和二阶拉曼模,单层石墨烯的D模为双峰结构,而双层石墨烯的D模具有四峰结构.同时,利用四条激光线系统地研究了本征和缺陷单层和双层石墨烯的拉曼峰频率的激发光能量依赖关系,并基于石墨材料的双共振拉曼散射机理指认了离子注入后样品各拉曼峰的物理根源.
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单位半导体超晶格国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所; 专用集成电路重点实验室; 中国电子科技集团公司第十三研究所
