摘要

本发明属于半导体器件技术领域,公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS-2/SiO-2/Si放入丙酮溶液浸泡去除PMMA薄膜,在Ar气体中150~300℃退火,在水蒸气环境中处理5~60min,得到Au/WS-2/SiO-2/Si,即为WS-2表面P型掺杂的光电晶体管。本发明首次通过水蒸气处理实现了WS-2表面P型掺杂,该方法掺杂方式简单,成本低廉,有利于商业化推广,使用WS-2表面P型掺杂的光电晶体管。该光电晶体管具有快速光响应、高灵敏度以及高迁移率。为二维材料高性能光电器件供了可能的发展应用前景。