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摘要
本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极,源漏电极分别位于SiN层两侧顶层AlGaN势垒层上,其特征在于：第一层异质结与SiN层之间设有GaN层和AlGaN势垒层,形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在SiN钝化层顶部和SiN钝化层、第一层异质结、第二层异质结的两个侧壁。本发明器件栅控能力强,载流子迁移率和饱和速度高,饱和电流大,可用于短栅长的低噪声微波功率器件。
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