分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究

作者：杨瑛; 王红真; 范柳燕; 陈平平; 刘博文; 贺训军^*; 顾溢^*; 马英杰; 李淘; 邵秀梅; 李雪

来源：红外与毫米波学报, 2022, 41(06): 987-994.

• InGaAs
• 高铟组分
• 短波红外
• 分子束外延
• 迁移率

研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响，分析了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比和As分子束形态对In0.74Ga0.26As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响。测试结果表明：适中的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比可以提高材料晶格质量，减少非辐射复合，降低本底杂质浓度。As分子束为As2时In0.74Ga0.26As材料质量优于As4分子束。当生长温度为570℃，As分子束形态为As2,V/III比为18时，可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度，室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×1014cm-3和4.0×1014cm-3，迁移率分别达到13 400cm2/Vs和45 160 cm2/Vs。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 电子工程学院; 红外物理国家重点实验室; 哈尔滨理工大学; 传感技术国家重点实验室