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摘要
随着航天器载荷功率不断增大，对宇航电源的效率提出了更高的要求。第三代宽禁带半导体——氮化镓（GaN）功率器件具有更低的导通损耗、纳秒量级的开关速度等优点，能够使宇航电源的效率得到进一步提高。分析了GaN功率器件的结构特性与电气性能优势，论述了当前国内外机构对GaN功率器件在宇航电源中的研究情况；并提出GaN功率器件以及高频电源在宇航环境中广泛使用面临的关键问题。分析认为GaN功率器件应侧重于单粒子辐照加固以及耐辐照稳定性驱动方案研究，而宇航电源的整体研究则应该关注于高频电源集成技术以及散热问题。
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单位中国空间技术研究院; 北京卫星制造厂有限公司
