双层绝缘层材料的有机薄膜晶体管的制备及其结构性能研究

作者：吕文

来源：广州化工, 2005, (03): 28-30.

• 薄膜晶体管
• 绝缘层
• 场效应迁移率 gate dielectric
• field effect transistor
• field-effect mobility

研究制备了包含双层绝缘栅的聚合物薄膜场效应晶体管(PTFT),采用介电常数比较高的Ta2O5和介电常数较低的聚丙烯腈(PAN)作为双层绝缘层,MEM-PPV作为有源层,并对器件做了晶体管电学特性方面的分析,测试结果表明器件具有较高的开关电流比和较高的迁移率,器件的场迁移率为2.0×10-2cm2/Vs,开关电流比超过103,比绝缘层为单层Ta2O5的晶体管器件的迁移率高了4倍,开关电流比高了一个数量级。

• 单位
  华南理工大学; 材料学院