铌酸锂晶体的光折变效应

作者：郑大怀; 张宇琦; 王烁琳; 刘宏德; 刘士国; 孔勇发^*; 薄方^*; 许京军^*

来源：人工晶体学报, 2022, 51(Z1): 1626-1642.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2022.z1.015

• 铌酸锂晶体
• 光折变效应
• 机制
• 掺杂
• 全息存储及显示
• 集成光子学

铌酸锂(LiNbO3, LN)是一种多功能多用途的人工晶体，被称为“光学硅”。近期以铌酸锂薄膜(LNOI)为平台的集成光子学发展迅速，有将“光学硅”变为现实的趋势。高集成意味着高局域高光强密度，使铌酸锂晶体的光折变效应变得不容忽视。光折变效应是光致折射率变化的简称，是非线性光学的重要组成部分。本文回顾了铌酸锂晶体光折变效应的发现和机理、不同掺杂及掺杂组合对光折变效应的调控，重点介绍了铋镁双掺铌酸锂晶体的光折变性能及相关理论和实验结果，概述了铌酸锂光折变波导和孤子，及基于LNOI的集成光子学器件中的光折变效应，并对未来的研究趋势进行了展望。期待我国发挥铌酸锂光折变研究及LNOI产业化的优势，在光子学芯片的竞争中占据主导地位。

• 单位
  南开大学