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摘要
一种提高荧光利用率的LED芯片,其特征在于,包括：安装在封装基板上的LED发光单元、附着于LED发光单元出光面上方的荧光反射薄膜和覆盖在荧光反射薄膜表面的荧光粉；所述荧光反射薄膜是由两种折射率不同的透明材料交替叠加、周期性排列组成的多层膜；所述两种透明材料,高折射率材料和低折射率材料的折射率之比大于1.2并小于2；所述荧光反射薄膜对LED发光单元发出的光有高透过率和低反射率,对荧光粉发出的光有低透过率和高反射率。
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一种提高荧光利用率的LED芯片,其特征在于,包括：安装在封装基板上的LED发光单元、附着于LED发光单元出光面上方的荧光反射薄膜和覆盖在荧光反射薄膜表面的荧光粉；所述荧光反射薄膜是由两种折射率不同的透明材料交替叠加、周期性排列组成的多层膜；所述两种透明材料,高折射率材料和低折射率材料的折射率之比大于1.2并小于2；所述荧光反射薄膜对LED发光单元发出的光有高透过率和低反射率,对荧光粉发出的光有低透过率和高反射率。
