SiHCl_3-H_2气相外延生长Si单晶反应机理的理论研究

作者：孙仁安; 张旭; 韩克利

来源：高等学校化学学报, 2006, (09): 1695-1698.

• 密度泛函理论
• 过渡态
• 反应机理
• 速率常数 Density Functional Theory
• Transition state
• Reaction mechanism
• Rate constant

采用密度泛函理论计算方法,在B3LYP/6-311G*水平下,计算并得到了SiHCl3与H2反应各反应通道上各驻点的构型、振动频率和能量.结果表明,在气相中SiHCl3分解的通道d和SiHCl3与H2反应的通道c为竞争反应,但其均未还原出Si原子,只有衬底Si参与SiHCl3-H2的反应,Si原子才淀积在Si衬底上.

• 单位
  吉林大学; 辽宁中医学院; 辽宁师范大学; 中国科学院大连化学物理研究所; 分子反应动力学国家重点实验室