本研究通过磁控溅射法在石英衬底上制备出ZnO薄膜紫外光电探测器，通过X射线衍射（XRD）、吸收光谱、I-V特性曲线以及响应度曲线，对不同退火温度（500、600、700℃）的光电探测器紫外探测性能进行了深入研究。结果表明，利用退火手段，提高了紫外光电探测器的性能，随着退火温度的升高，探测器的暗电流和响应强度逐渐增强。本研究结果为制备高性能ZnO薄膜紫外光电探测器提供了一种可行途径。
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