本文概述了集成电路铜互连清洗工艺中常见的铜腐蚀缺陷的基本常识,介绍了大马士革工艺湿法清洗导致铜互连腐蚀的形成过程。AIO孔洞下方的铜金属被腐蚀,导致电路连接断路无法正常作业,造成良率损失。本文设计实验研究了铜腐蚀现象,结合版图设计特点对缺陷进行分析,提出了相应的改善方法。本文同时还指出了湿法清洗机台ESD部件对铜腐蚀缺陷的产生有重要影响,针对机台ESD设计缺陷我们与厂商合作设计和改进了机台ESD能力,并成功的应用于实际生产中。
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