分子动力学模拟不同入射角度的SiF_3~+对SiC表面的作用

作者：贺平逆; 吕晓丹; 赵成利; 苟富均

来源：材料导报, 2012, (02): 144-149.

• 分子动力学
• SiF3+刻蚀SiC
• 分子动力学模拟
• SiC molecular dynamics
• SiF3+ etching SiC
• molecular dynamics simulation
• SiC

采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表面相互作用后会分解,分解率随着入射角度的增加而减小。分解产物除少量散射外,大部分会沉积在SiC表面,Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少。随着SiF3+不断轰击SiC表面,SiC表面会形成Si-F-C反应层,且反应层厚度随着入射角度的增加而减少。同时发现SiC中的Si原子较C原子更容易被刻蚀,与实验结果一致。当刻蚀达到稳...

• 单位
  贵州大学; 四川大学