一种Ka频段MEMS开关的研制

作者：董自强; 赵博韬; 石国超

来源：数字技术与应用, 2014, (02): 70.

DOI：10.19695/j.cnki.cn12-1369.2014.02.045

• MEMS开关
• 电容式
• Ka频段

设计了一种应用于Ka频段的并联电容式MEMS开关,该开关利用表面牺牲层工艺制备,具有低损耗、高隔离度等特点。经测试,开关在Ka频段内,回波损耗优于30dB,插入损耗典型值-0.13dB@27GHz,优于-0.28dB@40GHz,隔离度全频段优于22dB,驱动电压在50V70V范围。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十四研究所