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摘要
对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管（SiC VDMOS）的动态特性进行了相关研究。在比较3种偏置状态下60Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件阈值电压和开关特性影响的基础上，进行了室温退火试验。结果表明，随60Coγ射线辐照剂量的增加，氧化层积累陷阱电荷，导致静态特性中阈值电压降低。同时器件动态特性中开启时间略微缩短，关断时间骤增，开关损耗增大。器件受辐照后耗尽层厚度和阈值电压发生的变化是其开启和关断响应差异性退化的主要原因。
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单位中国科学院; 中国科学院大学; 中国科学院新疆理化技术研究所
