反射各向异性谱在线监测852nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长

作者：徐华伟; 宁永强; 曾玉刚; 张星; 张建伟; 张建; 张立森

来源：中国激光, 2012, (05): 53-58.

• 激光器
• AlGaInAs
• 反射各向异性谱
• 金属有机化合物汽相沉积 lasers
• reflectance anisotropy spectroscopy
• metal-organic chemical vapor deposition

研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852nm半导体激光器。通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和研究了AlGaInAs/AlGaAs界面的外延质量。研究结果表明高温生长可以导致从AlGaInAs量子阱层到AlGaAs势垒层的In析出现象。通过优化生长温度和在AlGaInAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得AlGaInAs/AlGaAs陡峭界面。使用优化后的外延生长条件,外延生长了整个852nm半导体激光器,使用RA...

• 单位
  发光学及应用国家重点实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 中国科学院研究生院