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摘要
为了找到合适的掺杂元素来制备半导体Cu互连结构,本文研究了Cu(V)/SiO2/Si体系以及Cu(V-N)/SiO2/Si体系。采用磁控溅射的方法,制备Cu(X)/SiO2/Si体系,并对其微观结构、界面特性、电学特性等进行研究。在500℃退火后,在Cu(X)/SiO2/Si体系界面上发现有V元素的的析出,并且没有观察到明显的Cu和Si的互扩散现象,与纯铜相比热稳定性好,电阻率得到一定的改善。在引入N元素后,薄膜组织结构有一定的改善,并且在热稳定性和电阻率方面表现更优异。因此,在Cu中引入V元素以及氮化物的掺杂制备半导体具有一定的可行性。
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