钛基片的化学机械抛光技术研究

作者：戴媛静; 裴惠芳; 潘国顺; 刘岩

来源：摩擦学学报, 2011, 31(02): 131-136.

DOI：10.16078/j.tribology.2011.02.011

• 钛基片
• 化学机械抛光
• 纳米级粗糙度
• 抛光机理

采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除.

• 单位
  清华大学; 摩擦学国家重点实验室; 深圳清华大学研究院