碳化硅纳米线增强多孔碳化硅陶瓷基复合材料的制备（英文）

作者：阮景; 杨金山; 闫静怡; 游潇; 王萌萌; 胡建宝; 张翔宇; 丁玉生; 董绍明

来源：无机材料学报, 2022, 37(04): 459-466.

• SiC基复合材料
• 碳化硅纳米线
• CVI参数
• 孔隙率
• 热导率

构建多孔碳化硅纳米线(SiCNWs)网络并控制化学气相渗透(CVI)过程，可设计并获得轻质、高强度和低导热率SiC复合材料。首先将SiCNWs和聚乙烯醇(PVA)混合，制备具有最佳体积分数(15.6%)和均匀孔隙结构的SiCNWs网络；通过控制CVI参数获得具有小而均匀孔隙结构的SiCNWs增强多孔SiC(SiCNWs/SiC)陶瓷基复合材料。SiC基体形貌受沉积参数(如温度和反应气体浓度)的影响，从球状颗粒向六棱锥颗粒形状转变。SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料的孔隙率为38.9%时，强度达到(194.3±21.3) MPa，导热系数为(1.9±0.1) W/(m·K)，显示出增韧效果，并具有低导热系数。

• 单位
  中国科学院上海硅酸盐研究所; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 上海科技大学; 中国科学院大学