SnO2由于具有制备方法简单、来源广泛、优异的n型半导体特性,被认为是制造气体传感器的理想候选材料。通过调整形态和改性对SnO2基气体传感器的发展至关重要。由低维结构单元构筑的三维(3D)分级结构SnO2基气体传感器取得了一定的成果。笔者简要综述了分级结构SnO2的可控合成和改性方法,为制造新型高性能SnO2基气体传感器提供新的思路和见解。