RTCVD沉积在石英衬底上的多晶硅薄膜的生长习性

作者：艾斌; 刘超; 梁学勤; 沈辉

来源：科学通报, 2010, (07): 619-623.

• 快速热化学气相沉积
• 多晶硅薄膜
• 异质衬底
• 晶体生长

使用快速热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了多晶硅薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等对其微结构进行了研究.XRD谱显示单个很强的(220)衍射峰,说明多晶硅薄膜表面具有<110>择优取向.表面SEM照片表明多晶硅薄膜的表面由大量尺寸不等的多边棱锥形晶粒组成,断面SEM照片则说明多晶硅薄膜内的晶粒沿垂直于衬底的方向柱状生长.TEM结果进一步揭示了多晶硅薄膜内存在包括一次孪晶、二次孪晶以及三次以上的高次孪晶在内的大量孪晶.以上实验结果无法用对常压化学气相沉积(APCVD)法制备多晶硅薄膜的生长习性的传统观点解释,但是却可以由Ino等...

• 单位
  光电材料与技术国家重点实验室; 中山大学