降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构及其制作方法

作者：赵东艳; 王于波; 陈燕宁; 付振; 刘芳; 王立城; 庞振江; 彭业凌; 张宏涛; 任晨; 张龙涛; 马晓华; 曹艳荣; 赵扬; 周芝梅; 万勇; 陈琳; 杜艳

来源：2020-12-15, 中国, ZL202011471670.3.

本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法,所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区,所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽,所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

• 单位
  国网信息通信产业集团有限公司; 北京智芯微电子科技有限公司; 西安电子科技大学; 国家电网有限公司; 国网山东省电力公司