PECVD SiC材料刻蚀技术

作者：陈晟; 李志宏; 张国炳; 郭辉; 王煜; 田大宇

来源：半导体学报, 2006, 27(z1): 381-384.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.z1.094

• PECVD
• 碳化硅
• 反应离子刻蚀
• 电感耦合离子刻蚀
• 氢含量
• 功率

通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.

• 单位
  北京大学