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摘要
C-V测量是半导体特征分析与测试的基础。半导体器件参数优劣等常用该测试方法进行判断,文章研究了基于4200A-SCS参数分析平台使用斜率法实现对MOSFET器件进行QSCV测量。相较于传统的需在交流环境下完成的CV测量,该文所述使用斜率法主要是应对在很多应用软件环境中需要在直流条件下实施,即在一个测试频率很低,几乎是直流的条件下操作。通过分析测量结果可辅助工程技术人员进一步优化器件工艺和性能,对工艺参数的检测,失效机理的分析等也都有着重要的参考与借鉴作用。
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单位安徽工商职业学院
