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摘要
采用磁控溅射方法制备了镓镁锌氧化物(GaMgZnO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计的测试分析,研究了沉积温度对GaMgZnO薄膜微观结构和电光性能的影响.结果显示:所制备的样品均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜并具有c轴择优取向生长特点,其结晶质量和电光性能与沉积温度密切相关.当沉积温度为550 K时,GaMgZnO薄膜的晶粒尺寸最大(51.72 nm)、晶格应变最小(1.11×10-3)、位错密度(3.73×1014 line·m-2)、电阻率最低(1.63×10-3Ω·cm)、可见光区平均透过率(82.41%)、品质因数最大(5.06×102Ω-1·cm-1),具有最好的结晶质量和光电综合性能.另外采用光学表征方法获得了薄膜样品的光学能隙,结果表明由于受Burstein-Moss效应的影响,GaMgZnO薄膜的光学能隙均大于未掺杂ZnO的数值.
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单位中南民族大学; 电子信息工程学院
