SiNx插入层对Si衬底上生长GaN薄膜晶体质量和表面形貌的影响

作者：钱慧荣; 周仕忠; 刘作莲; 杨为家; 王海燕; 林志霆; 林云昊; 王文樑; 李国强

来源：半导体光电, 2015, 36(02): 216-225.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2015.02.011

• Si衬底
• GaN薄膜
• SiNx插入层
• MOCVD

在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响。结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入SiNx插入层可使GaN薄膜的(10-12)面的X-射线回摆曲线的半峰宽(FWHM)值从974.01减小到602.01arcsec;表面凹坑等缺陷减少、表面平整度提高。可见,SiNx插入层对在Si衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响。

• 单位
  华南理工大学