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摘要
硅外延过程中，反应系统中会有掺杂杂质存在，这些杂质如果在反应过程中没有得到有效处理，进入外延层，会出现自掺杂效应，影响硅外延反应效果。反应完成之后，反应腔室内残留的掺杂杂质需要进行相应处理。常用的HCl高温刻蚀无法完全清除杂质，这些难以去除的残留物会在后续的硅外延反应中继续扩散，最终导致外延层电阻率受到干扰。这一现象被称为系统自掺杂效应，其中重掺衬底是硅外延反应过程中常见的一种掺杂剂。因此文章结合实际探究重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响，进而依据影响提出优化建议，这对于推动硅外延反应系统优化升级有积极作用。
