科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
由于AlGaN/GaN异质结界面自发极化和压电极化产生的二维电子气，使器件处于常开状态，需要施加额外的负栅极电压将其关断。而增强型p-GaN栅结构的肖特基栅漏电大，极大地限制了器件的工作电压范围。本文基于原子层刻蚀及原子层沉积技术，在硅基衬底上制备出凹槽栅增强型GaN MOS-HEMT功率器件，阈值电压为2.5 V，电流开关比>1010，衬底接地时击穿电压为760 V。基于Silvaco TCAD建立了电学输运模型，对器件的转移输出特性进行拟合，并提取模型参数。同时，基于器件-电路混合电路仿真器MixedMode建立双脉冲测试电路，首次评估了凹槽栅增强型GaN MOS-HEMT器件的开关特性。当负载电流为12 A时，器件的导通上升时间为1 ns，关断下降时间为1.6 ns，处于现有文献报道的最低值。这些结果表明，凹槽栅增强型GaN MOS-HEMT在功率器件领域具有广阔的应用前景。
