基于GaN器件的高频高效LLC谐振变换器

作者：童军; 吴伟东; 李发成; 杜光辉

来源：电工技术学报, 2021, 36(S2): 635-643.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.l90259

• LLC谐振变换器
• GaN功率管
• 平面变压器
• 寄生参数
• 电磁仿真

传统功率器件在高频下,器件本身产生较大的损耗,严重制约着高效、高功率密度的开关变换器的需求,第三代宽禁带半导体器件氮化镓(GaN)的出现能够进一步地提高变换器的效率和功率密度。GaN器件具有开关速度快以及无反向恢复损耗等特点,该文利用这一特性,结合印制电路板(PCB)平面变压器,将其应用于LLC谐振变换器中,最终设计一款48V输入、12V输出、120W、1MHz的实验样板。实验结果表明,该样板的体积得到大幅度地降低,通过采用GaN器件极大地提高了变频器的效率和功率密度,为采用GaN器件的高功率密度变换器的设计提供了参考。

• 单位
  西安科技大学