摘要

为了探究Sn掺杂钛酸钡无铅压电陶瓷的微观结构和宏观电学性能的调控机理。采用第一性原理的密度泛函理论方法计算了锡钛酸钡陶瓷(BaTi1-xSnxO3,简写为BTSx,x = 0,0.125,0.20,0.25,0.33和0.50)的能带结构、态密度和压电性能,研究了其压电性调控机理。研究发现:钛酸钡陶瓷的带隙宽度为1.780 eV,在所研究的组分范围内,随着Sn掺杂量的增加,BTSx陶瓷样品的带隙宽度单调减小。其态密度图谱表明原子之间的轨道杂化使压电性更稳定,钛酸钡陶瓷中B位Sn掺杂使其室温压电性能增强。