采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜,研究了φ(N2)对薄膜的结构和性能影响。研究发现,在N2分压(体积分数)为9%时,多相共存的TaN薄膜表现出TaN(200)面择优取向,方阻和αt达到最佳,其值为52Ω/□和–306×10–6/℃。薄膜的方阻、电阻温度系数αt和晶粒尺寸都随着N2分压的增大而增大:当N2分压高于11%时,薄膜的方阻和αt增长较快。
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