用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术

作者：邢向龙; 焦继伟; MarkDaffron; 王跃林; HyungChoi

来源：功能材料与器件学报, 2006, (02): 135-138+154.

• MEMS
• 接触平坦化
• 化学机械抛光
• 均匀性
• 凹陷效应 MEMS
• contact planarization
• CMP
• uniformity
• dishing effect

实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作。实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20~40nm。与化学机械抛光技术相比,接触平坦化无明显凹陷(D ishing)效应,无衬底损伤,同时呈现出良好的局部和总体均匀性。