基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

作者：马玉麟; 郭祥^*; 丁召

来源：原子与分子物理学报, 2025, (03): 1-8.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2025.032004

• MBE
• Ga原子团簇
• Ga源温度
• 沉积时长
• 退火时长

本研究基于分子束外延（Molecular Beam Epitaxy,MBE）技术在Si (100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇通过控制变量法，研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇实验结果表明，Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加，进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多，Ga原子自组装成团簇，最终表现为Ga原子团簇的高度升高第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇实验结果表明，沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加，主要由新吸附原子和竞争效应驱动第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇实验结果表明，退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇实验结果表明，升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列，是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果

• 单位
  贵州大学