功率场效应管(MOSFET)作为变换电路中的核心器件，起到电压通断的作用，从而完成电路的开通和关闭。详细论述了MOSFET的热阻特性和热耗，并结合实例，完成了在MOSFET上增加散热片前、后的温升变化对比实验，证实非绝缘封装MOSFET在增加散热片后可有效降低器件本体的温度升高，因此在使用MOSFET时应选用合适的散热器件。
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