采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了热电材料SnX (X=S,Se,Te)的单层和块体结构的电子性质,并对块体结构SnX的弹性性质进行计算和分析,计算结果与文献中理论和实验结果相符。通过对能带和态密度的计算,发现单层和块体结构的SnX均为间接带隙半导体,带隙均随着X原子序数的增大而减小。根据计算得到的块体结构的弹性常数Cij、体弹模量B和剪切模量G等值,发现SnX是力学稳定的,且它们都表现出脆性,并由弹性各向异性因子得到SnX具有弹性各向异性。
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