高熵合金AlCrNbSiTiV氮化物薄膜溅镀参数的优化

作者：万松峰^*; 许春耀; 张钰乾

来源：电镀与涂饰, 2018, 37(15): 677-682.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2018.15.005

• 高熵合金
• 氮化物
• 薄膜
• 刀具
• 直流反应式磁控溅射
• 田口方法
• 灰关联分析
• 多目标优化

以AlCrNbSiTiV为靶材,用反应式磁控溅镀系统分别在住友BNX20刀具和硅晶片上沉积高熵合金氮化物(AlCrNbSiTiV)N薄膜。采用田口方法的L9(34)正交表考察了沉积时间、基材偏压、溅射功率和基材温度对沉积速率、薄膜硬度和刀具寿命的影响,通过方差分析(ANOVA)确定了影响各性能的主要因素。对信噪比(S/N)进行灰关联分析以实现多目标优化,得出最佳工艺参数为:沉积时间20min,基材偏压-100V,溅射功率250W,基材温度400°C。在该条件下,沉积速率为17.28nm/min,薄膜硬度达到2814HV,刀具寿命2.50m。

• 单位
  东莞职业技术学院