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摘要
采用射频溅射磁控溅射技术在 Ar+H2气氛下，以 V2O5为溅射靶材在玻璃基片上制备了 H 掺杂 VO2(HVO2)薄膜，研究了 H2流量和退火处理对制备 HVO2薄膜的结构、光电性能和热稳定性的影响。结果表明：H2流量可以控制薄膜中 H 的含量，微量 H 的掺杂使 HVO2薄膜相变温度降低到室温附近，过量的 H 掺杂会使薄膜处于金属态。当 500 ℃下退火 3 h 后，薄膜物相、相变等特征明显变化，此时薄膜中的 H 不能稳定存在于 VO2晶格而溢出薄膜。当退火温度≤450 ℃、退火时间≤6 h时，薄膜保持较高的稳定性，这为室温附近使用 HVO2薄膜提供了基础。另外，随 H2流量增加，薄膜的平...
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