报道了我们最近研制的780 nm半导体激光放大装置。激光放大管采用Eagleyard公司生产的(EYP-TPA-0780-01000)半导体锥形放大器,当输入的种子源激光功率为25 mW时,放大器输出的激光功率达600mW左右,该光束经过透镜整形,声光调制器频移,然后耦合到单模保偏光纤后,输出功率达110 mW。该激光放大装置可很好的用于高密度冷原子的俘获。
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