化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

作者：魏乃光; 蒋立朋^*; 李冬旭; 杨海; 袁琴; 郭立; 田智瑞; 宋姿霖; 刘晓华; 黎建明; 张鹏飞

来源：人工晶体学报, 2020, 49(01): 152-157.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20200220.001

• 化学气相沉积法(CVD)
• ZnSe
• 缺陷

本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景,系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷,包括云雾、孔洞和微裂纹、夹杂、分层和胞状物。采用SEM、体视显微镜、金相显微镜、傅里叶光谱仪等方法对缺陷进行了表征。结合国内外文献和检测结果,对各类缺陷可能的产生机理及抑制方法进行了阐述与分析。