本文研究了对ZnO薄膜的光致发光、晶体缺陷、晶粒尺寸和表面形貌的影响。采用PL测试表征材料的缺陷密度,用HR-XRD缺陷显著降低,结晶情况有所改善,晶粒尺寸增大。利用H2O2处理可以降低ZnO薄膜的缺陷态,提高了其在应用中的电学稳定性。