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摘要
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料有着优异的物理属性，其器件有望在空间通讯领域等极端环境中大量应用。目前，已有报道研究GaN器件在辐照条件下的性能变化规律，但缺乏研究在辐照初期，即累计剂量较低时，常开型GaN基级联（Cascode）型器件的电学属性变化情况。本文使用低剂量铯源老化开路中的Cascode型器件，并推测初期弱辐照主要诱导了Cascode型器件中Si MOSFET通流性能的衰减，进而导致Cascode型器件的饱和电流下降。但GaN子器件可能未受辐照显著破坏，因此辐照前后Cascode型器件的耐压水平基本不变。此外，在不同栅源偏压下，辐照对Cascode型器件输出特性的线性区有差异化影响。
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单位西安电子科技大学芜湖研究院
