碳化硅非线性导电特性的研究进展

作者：郭磊; 宁叔帆; 于开坤; 李红岩; 赵丽华; 刘斌; 陈寿田

来源：绝缘材料, 2005, (03): 60-64.

DOI：10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2005.03.019

• 碳化硅
• 电阻率
• 非线性系数
• 应用 silicon carbide
• resistivity
• non-linear coefficient
• application

综述了碳化硅非线性导电特性的意义和碳化硅材料的特性、非线性导电特性的测试及计算方法,讨论了α-SiC和β-SiC的非线性导电特性及其影响因素。前人研究结果表明,对于α-SiC,颗粒越粗,电阻率ρ0越低、非线性系数β越大;颗粒越细,电阻率ρ0越高、非线性系数β越小;不同种类,不同工厂生产的碳化硅的电阻率ρ0和非线性系数β是不同的;α-SiC制成防晕带后电阻率升高,β值下降,颗粒越粗,β值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律,而β-SiC具有比α-SiC低得多的电阻率和较大的非线性系数,并且其电阻率和非线性系数受到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响。

• 单位
  电力设备电气绝缘国家重点实验室; 西安交通大学