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摘要
本发明公开了一种实现p型栅增强型HEMT器件的方法,包括S1在衬底上依次外延GaN沟道层、AlGaN势垒层及p型氮化物层；S2在p型氮化物层上进行光刻,暴露出源金属电极和漏极金属电极区域区域,进行刻蚀处理后,通过蒸镀、剥离和退火形成源金属电极和漏金属电极；S3进行台面隔离,然后通过光刻、蒸镀、剥离,形成栅金属电极；S4将源金属电极、漏金属电极及栅金属电极分别通过导线与半导体分析仪连接；S5将S4连接完成的外延片放置在感应耦合等离子体刻蚀腔内,进行刻蚀工艺,当半导体分析仪显示的源漏输出电流最大时,工艺停止。本发明避免造成器件损伤,对于实现具有高饱和输出电流密度的增强型器件具有重要意义。
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