900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响

作者：王东; 张景文; 韩峰; 张新安; 毕臻; 边旭明; 侯洵

来源：半导体学报, 2007, 28(z1): 293-295.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.z1.074

• 激光分子束外延
• ZnO
• 退火
• 光致发光
• 激子

采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,在空气中对生长的薄膜进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性采用X射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在3.352,3.309和3.237eV附近有3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射、中性施主或受主束缚激子I9及其声子伴线1Lo.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.

• 单位
  西安交通大学; 河南大学