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摘要
InN及InGaN材料在电子和光电器件方面有诱人的应用前景,但由于InN生长的特殊性和InGaN合金中的相分离等问题,阻碍了高质量InN基材料的制备。近年来,随着氮化物半导体材料生长技术的进步和人们其生长机理认识的深入,为制备高质量的高In组分InGaN及InN材料提供了很好的基础。本文即在此背景下,对InN基材料生长方法与特性进行了深入研究,研究成果如下: 采用低压MOCVD生长方法,通过生长工艺的优化,成功地制备出不同组分的InGaN薄膜,并研究了生长工艺参数对材料特性的影响。 对于在常规GaN生长条件下制备的InGaN来说,提高压强和降低温度均有利于In的结合和表面形貌的改善...
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