化学炉燃烧合成Al_4SiC_4粉体的绝热燃烧温度计算与实验研究

作者：李学超; 宋月鹏; 李江涛; 陈义祥; LEEChongSoo; KIMHyoungSeop

来源：硅酸盐学报, 2011, (08): 1323-1328.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2011.08.018

• 铝碳化硅粉体
• 绝热燃烧温度
• 化学炉
• 燃烧合成 aluminium silicon carbide powders
• adiabatic temperature
• chemical oven
• combustion synthesis

根据热力学基本原理,采用计算机数值计算,对化学炉燃烧合成的铝碳化硅(Al4SiC4)粉体的绝热燃烧温度进行数值计算。结果表明:常温下Al–Si–C体系的绝热燃烧温度仅为1 300 K;只有当预热温度在930 K以上时,才可以实现自蔓延燃烧。Al–Si–C体系的燃烧合成将分步进行,首先生成中间产物Al4C3和SiC,而后由其形成最终产物Al4SiC4。通过体系中添加过量石墨,利用Ti–Si体系化学炉,燃烧合成出粒度均匀且纯度较高的Al4SiC4粉体,根据实验检测并结合绝热燃烧温度计算结果,分析了石墨过量对产物Al4SiC4粉体纯度的影响。

• 单位
  中国科学院理化技术研究所; 山东农业大学