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摘要
本文以乙二醇单甲醚为溶剂,采用旋涂法制备了GaSnO半导体薄膜,研究了不同Ga掺杂含量和退火温度条件下薄膜的晶体结构、光学性质、化学价态和表面形貌信息,同时研究了GaSnO薄膜晶体管的电学性质.接着采用高k值的Al2O3薄膜作为介质层,将上述优化好的GaSnO薄膜作为沟道层,制备了GaSnO/Al2O3薄膜晶体管.实验研究发现,器件的性能得到了显著的提升,工作电压仅为2 V,最大场效应迁移率为69 cm2V-1s-1,阈值电压为0.67 V,电流开关比为1.8×107.溶液法制备的非晶GaSnO薄膜晶体管可能会促进高性能无铟TFT器件以及低功耗、低成本电子器件的开发.
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