一种新颖的BiC MOS高精度LDO线性稳压电路

作者：陈晓飞; 邹雪城; 刘三清; 张宾

来源：微电子学, 2006, 36(01): 80-83.

DOI：10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.022

• LDO
• 稳压电路
• BiCMOS
• 高压工艺
• 温度系数
• 线性调整率
• 负载调整率

设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路,电路采用0.8μm N阱BiCMOS高压工艺制作。Hspice仿真结果表明,在温度从-20℃到100℃变化时,其温度系数约为±28 ppm/℃;电源电压从4.5 V到25 V变化时,最坏情况下其线性调整率为0.038 mV/V;负载电流从0到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为1.28 mV/mA。

• 单位
  华中科技大学