基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理，采用广义梯度近似(GGA)研究了不同压力下CoSb3的能带结构、态密度、声子色散曲线、拉曼光谱和红外光谱的变化规律。在0～20 GPa范围内，随着施加压力强度的增加，能带带隙增加，但仍为间接带隙半导体；对CoSb3的声子色散曲线分析发现，在施加0～20 GPa压力时声子色散曲线仍然没有虚频出现，这表明在此压力范围内CoSb3结构稳定；在施加压力过程中拉曼光谱和红外光谱都发生了移动，拉曼光谱发生蓝移。
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