InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响

作者：吴唯; 周勇; 刘尚军; 刘万清; 张靖

来源：半导体光电, 2020, 41(01): 89-92.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.019

• InAs量子点
• 量子点低温盖层
• 光致荧光谱
• 时间分辨谱
• 速率调制外延

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层,采用光致荧光光谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质。对比了常规方法和速率调制外延(FME)法生长GaAs低温盖层的量子点质量,结果表明,FME法生长低温盖层的量子点荧光发射谱光强更强且发光寿命达到0.6ns,明显优于普通方法生长低温盖层的量子点发光寿命。